[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 202010076372.8 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111489973B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 梶爱子;山之内义明;斋藤顺 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L21/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法包括：在第一导电类型层(5、40、50)上方形成第二导电类型层(6、41、51)；以及通过借助于等离子体蚀刻工艺蚀刻所述第二导电类型层以露出第一导电类型层而形成沟槽(11、43、53)。第二导电类型层的蚀刻包括：对等离子体的光发射执行光谱分析；基于发射强度的变化检测第一导电类型层和第二导电类型层之间的界面；以及在基于界面的检测结果确定终结点时，停止对第二导电类型层的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
