[发明专利]一种在大面积衬底上磁控溅射制备薄膜的方法有效
| 申请号： | 202010072003.1 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111139439B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 宋志伟;褚卫国 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在大面积衬底上磁控溅射制备薄膜的方法。所述方法包括：采用直径为2英寸的靶材在直径为6英寸的衬底上制备薄膜，所述靶材和衬底的距离≤17cm，靶材相对衬底的夹角≤90°，得到薄膜厚度的非均匀性≤5％。本发明使用2英寸靶材，通过调节靶材相对衬底夹角和靶基距等因素，实现6英寸薄膜制备，得到薄膜厚度的非均匀性≤5％，较现有的2英寸靶材只能满足4英寸薄膜制备有明显的提升，且成膜质量、效率以及节约成本等方面有明显提高；其次，本发明可以在不同材料界面制备具有良好均匀性的6英寸膜材料；本发明整体结构简单，功能全面，为小靶材大基片磁控溅射镀膜提供一种研究方法，且提高了镀膜效率、降低了镀膜成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 衬底 磁控溅射 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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