[发明专利]一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法在审
| 申请号： | 202010064243.7 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111243963A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 邵国键 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙淑君 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，包括采用光刻工艺在氧化镓衬底的上表面定义需要增强欧姆接触区域的图形，此区域暴露，剩余的区域用光刻胶遮挡；衬底上表面注入掺杂离子；去除氧化镓衬底上表面的光刻胶；进行热处理；采用光刻工艺定义形成金属电极区域的图形，此区域暴露，其余区域用光刻胶遮挡；在氧化镓衬底上表面形成金属电极；去除氧化镓衬底上表面的光刻胶；快速退火处理。本发明中增强氧化镓半导体器件欧姆接触的方法，其欧姆接触区域的掺杂范围、浓度、深度都可精确控制，制备工艺简单，结合注入后的热退火处理，能够有效增强氧化镓半导体器件欧姆接触，形成具有良好欧姆接触的氧化镓半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氧化 半导体器件 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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