[发明专利]一种改善银电迁移的纳米Ag-SnO2 有效
| 申请号： | 202010061699.8 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111230353B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈静;刘盼;张靖;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | B23K35/14 | 分类号： | B23K35/14;B23K35/30;B23K1/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种改善银电迁移的纳米Ag‑SnO |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 迁移 纳米 ag sno base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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