[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010055220.X | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111211131B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 肖梦;耿静静;张慧;吴佳佳;王攀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种3D存储器件及其制造方法。器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的叠层结构；贯穿所述叠层结构的多个沟道柱和多个虚拟沟道柱；以及多个第一外延结构和多个第二外延结构，其中，所述多个栅极导体包括设置在所述多个沟道柱和所述半导体衬底之间的底部选择栅极，所述多个第二外延结构与所述底部选择栅极完全隔离。本申请的3D存储器件，设置多个与底部选择栅极完全隔离的凸起结构，虚拟沟道柱位于多个凸起结构上，因而避免了虚拟沟道柱与底部选择栅极之间的漏电情况，而且在形成虚拟沟道孔时不容易出现蚀刻不到位的情况，提高了器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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