[发明专利]功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010052976.9 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111463130A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | E.格里布尔;M.贝宁格-比纳;M.戴内泽;I.迪恩施托费尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国德累*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成功率半导体器件的方法包括提供半导体本体；提供布置在半导体本体上或内的控制电极；在邻近控制电极的半导体本体中形成第一导电类型的多个升高源极区，形成升高源极区包括：将第一导电类型的掺杂剂注入半导体本体中；在半导体本体表面上形成凹陷掩模层；和通过第一蚀刻工艺去除未被凹陷掩模层覆盖的半导体本体的部分以形成升高源极区和邻近升高源极区的凹陷本体区，凹陷本体区布置在升高源极区之间。方法还包括在半导体本体表面上形成电介质层；在电介质层上形成接触孔掩模层；通过第二蚀刻工艺去除未被接触孔掩模层覆盖的电介质层的部分以形成接触孔；和用导电材料填充接触孔以建立与至少部分升高源极区和至少部分凹陷本体区的电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
