[发明专利]一种织构化类金刚石碳基薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010052653.X 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111139430B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 何东青;尚伦霖;李文生;张广安;成波;张辛健 申请(专利权)人: 兰州理工大学;中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 赵晓琳
地址: 730050 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明提供了一种织构化类金刚石碳基薄膜及其制备方法,属于表面工程领域。本发明提供一种利用金属网筛栅遮挡金属基体表面的方法,简单便捷地原位制备织构化DLC薄膜,金属基底表面的金属网筛并非与基底紧密贴合,而是与基底留有一定间隙,且间隙尺寸严格控制,利用此间隙实现沉积空间等离子体密度的重新分布,使金属网栅遮挡区域与基体间隙处的等离子体密度增加,从而提高此区域的沉积速率,而未遮挡区域沉积速率不变,导致遮挡区域薄膜厚度大于未遮挡区域,从而在薄膜沉积过程中原位形成织构化表层,薄膜本身连续完整,不存在未覆盖区域,且织构坑形状、密度和深度均可通过沉积工艺的调控实现可控调节。
搜索关键词: 一种 织构化类 金刚石 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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