[发明专利]一种绿光垂直腔面发射半导体激光器在审
| 申请号： | 202010051271.5 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111082316A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李林;曾丽娜;李再金;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构由第一底部分布布拉格反射镜层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部分布布拉格反射镜层，欧姆接触层，第二底部分布布拉格反射镜层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层组成。本发明提出一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，由一次外延生长来实现有源层、高反射率分布布拉格反射镜层和窗口层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长，从而能够保证获得高质量的外延材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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