[发明专利]一种镁热还原制备硅碳负极材料的方法在审
申请号: | 202010048858.0 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN111244414A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 郭玉忠;黄永成;黄瑞安 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y40/00 |
代理公司: | 昆明合盛知识产权代理事务所(普通合伙) 53210 | 代理人: | 龙燕 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开一种镁热还原制备硅碳负极材料的方法,所述方法为:将微硅粉进行焙烧,然后分散于酸蚀液中,水浴加热后抽滤、水洗、干燥得预处理样品;将预处理样品与镁粉通过球磨混合,经自然干燥后置于密封石墨坩埚中,转移到惰性气体的管式炉中,进行镁热反应,所得产物经酸洗、真空抽滤、水洗、干燥后得多孔晶硅;将制得的多孔晶硅与有机物前驱体混合均匀后干燥,再置于保护性气体中,进行固化处理,得硅基复合材料。本发明通过对微硅粉的酸蚀预处理、镁热还原处理获得了多孔晶硅;该种硅材料不仅具有较高的比容量,而且形成的多孔结构一方面起到了缓冲本身体积膨胀的作用;另一方面也缩短了锂离子脱嵌的深度和扩散距离,使其表现出了优异的电化学性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 还原 制备 负极 材料 方法 | ||
【主权项】:
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