[发明专利]面向低功耗应用的抗双节点翻转的D锁存器在审

专利信息
申请号: 202010042750.0 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN111245424A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 郭靖;杜芳芳 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/0185
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 董玉娇
地址: 030051 山西省*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 面向低功耗应用的抗双节点翻转的D锁存器,属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了传统的抗双节点翻转的D锁存器需耗费较多晶体管、功耗大和敏感节点多,无法满足在低功耗下应用的问题。本发明仅仅使用了32个晶体管就可以实现对两个节点翻转的恢复容错,可有效降低版图面积和功耗;另外,本发明还采用PMOS串联堆栈的方式进行构造,这种串联堆栈的方式可有效降低电路的功耗。本发明主要应用于低功耗中低频电路中。
搜索关键词: 面向 功耗 应用 节点 翻转 锁存器
【主权项】:
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