[发明专利]一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法在审

专利信息
申请号: 202010040606.3 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN111220867A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 文林;蔡毓龙;李豫东;周东;冯婕;郭旗 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01C25/00;H04N17/00
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法。该方法所涉及的测试系统是由PC机和CMOS图像传感器测试板组成,其中CMOS图像传感器测试板由图像和数据接口、现场可编程门阵列、CMOS图像传感器和外围电路组成,在PC机中设置有图像成像软件和寄存器读写软件,PC机中图像采集卡通过数据线与CMOS图像传感器测试板中的图像和数据接口相连,现场可编程门阵列将图像数据映射成标准图像格式传递给PC机,电源通过外围电路为CMOS图像传感器和现场可编程门阵列供电,寄存器读写软件可读写CMOS图像传感器内部寄存器值,同时将读出值和初值进行比较,判定该寄存器是否发生翻转,并自动统计寄存器发生翻转次数。本发明所述方法简单快速,计算结果准确,实时性强。
搜索关键词: 一种 用于 cmos 图像传感器 粒子 翻转 效应 测试 方法
【主权项】:
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