[发明专利]一种台阶结构的制造方法有效
| 申请号： | 202010035745.7 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111204704B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛 | 申请（专利权）人： | 无锡韦感半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 杨思雨 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种台阶结构的制造方法，包括：在衬底的第一表面上形成第一掩膜层；图形化第一掩膜层以形成贯穿第一掩膜层的第一开口，第一开口暴露第一表面的部分区域；在第一掩膜层以及第一开口上形成第二掩膜层；图形化第二掩膜层以形成贯穿第二掩膜层的多个第二开口，每个第二开口至少暴露第一开口的部分边界；以及分别以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对衬底进行刻蚀，以在衬底中形成台阶结构，上述制造方法在第一次刻蚀过程中形成两个小开孔比的深槽，这两个深槽在第二次刻蚀过程中可平衡大面积开口时应力释放的翘曲，改善大开孔比的深硅刻蚀中的翘曲问题，可有效提高产品良率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 台阶 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡韦感半导体有限公司，未经无锡韦感半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010035745.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：偏振片及其制造方法
- 下一篇：一种应力补偿型盾构隧道管片接缝防水弹性密封垫
