[发明专利]一种台阶结构的制造方法

权利要求书

1.一种台阶结构的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底的第一表面上形成第一掩膜层；

图形化所述第一掩膜层以形成贯穿所述第一掩膜层的第一开口，所述第一开口暴露所述第一表面的部分区域；

在所述第一掩膜层以及所述第一开口上形成第二掩膜层；

图形化所述第二掩膜层以形成贯穿所述第二掩膜层的多个第二开口，所述多个第二开口分别位于所述第一开口的边界的位置；以及

分别以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底中形成所述台阶结构。

2.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述多个第二开口的开口面积小于所述衬底面积的20%。

3.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜层为硅的氧化物，所述第二掩膜层为光刻胶。

4.根据权利要求3所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述分别以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底中形成所述台阶结构包括：

以所述第二掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成多个第一深槽；

去除所述第二掩膜层；

以所述第一掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成预定深度的第二深槽，同时将所述多个第一深槽向下延伸至所述预定深度，所述多个第一深槽和所述第二深槽在所述衬底中形成所述台阶结构；以及

在形成所述台阶结构之后去除所述第一掩膜层。

5.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为硅的氧化物。

6.根据权利要求5所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述分别以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底中形成台阶结构包括：

以所述第二掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成多个第一深槽；

去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；

对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成预定深度的第二深槽，同时将所述多个第一深槽向下延伸至所述预定深度，所述多个第一深槽和所述第二深槽在所述衬底中形成所述台阶结构。

7.根据权利要求4或6所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述衬底还包括与所述第一表面相背且包括结构图形的第二表面，所述制造方法还包括：

在形成所述台阶结构前在所述衬底的第二表面形成一牺牲层；所述第一深槽和所述第二深槽贯穿所述衬底，暴露所述牺牲层的表面；以及

在形成所述台阶结构之后去除所述牺牲层。

8.根据权利要求7所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺或者氢氟酸蒸汽刻蚀去除所述第一掩膜层、所述牺牲层以及硅的氧化物材质的所述第二掩膜层。

9.根据权利要求7所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，采用干法等离子去胶去除光刻胶材质的所述第二掩膜层。

10.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺形成所述台阶结构。