[发明专利]一种自偏置的磁光非互易超构表面器件有效
申请号: | 202010031484.1 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111198414B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 毕磊;杨伟豪;秦俊;龙嘉威;邓龙江 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;H01Q15/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及非互易超构表面,具体涉及一种自偏置的磁光非互易超构表面器件。本发明通过将亚波长尺寸的硬磁材料结构层按矩阵周期排列在微波频段折射率为1~5的材料层上,通过改变结构层的结构单元的长宽高实现对电磁波的相位和振幅的调控,只需一次磁化,无需持续外加磁场。最终本发明基于磁光效应通过高矫顽力的硬磁材料实现了自偏置的磁光效应非互易器件;且采用亚波长尺寸的结构,利于器件的小型化和集成化。在雷达屏蔽(单向透射)、自由空间隔离器、非互易透镜、非互易全息成像等领域有着重要的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 偏置 磁光非互易超构 表面 器件 | ||
【主权项】:
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