[发明专利]基准电压产生电路、电源开启检测电路以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 202010030156.X 申请日: 2020-01-13
公开(公告)号: CN111538363B 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 村上洋树 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46;G05F1/565;H02M1/36;G11C5/14
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 赵平;周永君
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种基准电压产生电路、电源开启检测电路以及半导体装置,该基准电压产生电路包含:PMOS晶体管P1、P2,被配置为对第1、第2电流路径提供相同电流值的电流源;双极晶体管Q1,在第1电流路径连接PMOS晶体管P1;双极晶体管Q2,在第2电流路径连接PMOS晶体管P2;差动放大电路AMP,控制PMOS晶体管P1、P2的栅极,使得节点VN与节点VP的电压相等;输出节点BGR,输出基准电压Vref;以及基准电压保证部130,当节点VN的电压与节点VP的电压的差在一定值以下保持不变时,输出检测信号BGRDET。
搜索关键词: 基准 电压 产生 电路 电源 开启 检测 以及 半导体 装置
【主权项】:
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