[发明专利]基准电压产生电路、电源开启检测电路以及半导体装置有效
申请号: | 202010030156.X | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111538363B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 村上洋树 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/46 | 分类号: | G05F1/46;G05F1/565;H02M1/36;G11C5/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 赵平;周永君 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种基准电压产生电路、电源开启检测电路以及半导体装置,该基准电压产生电路包含:PMOS晶体管P1、P2,被配置为对第1、第2电流路径提供相同电流值的电流源;双极晶体管Q1,在第1电流路径连接PMOS晶体管P1;双极晶体管Q2,在第2电流路径连接PMOS晶体管P2;差动放大电路AMP,控制PMOS晶体管P1、P2的栅极,使得节点VN与节点VP的电压相等;输出节点BGR,输出基准电压Vref;以及基准电压保证部130,当节点VN的电压与节点VP的电压的差在一定值以下保持不变时,输出检测信号BGRDET。 | ||
搜索关键词: | 基准 电压 产生 电路 电源 开启 检测 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】:
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