[发明专利]基准电压产生电路、电源开启检测电路以及半导体装置

权利要求书

1.一种基准电压产生电路，其特征在于，包含：

电流源，对第1电流路径以及第2电流路径提供相同电流值的电流；

第1PN结元件，连接所述第1电流路径，使第1电流流通于所述第1电流路径；

第2PN结元件，连接所述第2电流路径，使大于所述第1电流的第2电流流通于所述第2电流路径；

输出节点，连接所述第2电流路径，输出基准电压；

第一差动放大电路，控制所述电流源，使得所述第1电流路径的所述电流源和所述第1PN结元件之间的第1节点的电压，以及所述第2电流路径的所述电流源和所述第2PN结元件之间的第2节点的电压相等；以及

基准电压保证部，当所述第1节点的电压与所述第2节点的电压的差维持于一定值以下时，输出用以表示所述基准电压已达期望电压的检测信号；

所述基准电压保证部还包含：

第二差动放大电路，将所述第1节点的电压与所述第2节点的电压进行比较；以及

检测电路，耦接于电源电压与接地电位之间；

所述检测电路包含晶体管，所述晶体管的栅极耦接所述第二差动放大电路的输出端子；

所述晶体管的第1端子耦接所述电源电压，且所述晶体管的第2端子耦接第3节点，所述第3节点输出用以控制所述检测信号的电平的控制信号；

所述基准电压保证部基于所述第1节点的电压与所述第2节点的电压的比较，输出所述检测信号。

2.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，

所述基准电压保证部包含PMOS晶体管以及NMOS晶体管；

所述基准电压保证部的所述PMOS晶体管的栅极耦接所述电流源的栅极；

所述NMOS晶体管包含：

第1端子，耦接所述PMOS晶体管；

栅极，耦接输出所述控制信号的所述第3节点；以及

第2端子，耦接所述接地电位；

所述检测信号是基于所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管之间的第4节点的电平所产生的。

3.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，

当所述第1节点的电压与所述第2节点的电压的差到达一定值以下，且所述第2节点的电压已经稳定时，所述基准电压保证部输出所述检测信号。

4.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，

所述第2电流路径包含电阻，串接在所述第2节点与所述第2PN结元件之间。

5.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，

所述第1电流路径在所述电流源与所述第1节点之间包含第1电阻；

所述第2电流路径在所述电流源与所述第2节点之间包含第2电阻。

6.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，

所述第1PN结元件与所述第2PN结元件为二极管、PNP双极晶体管、或NPN双极晶体管。

7.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，

所述基准电压产生电路为能隙参考电路。

8.一种电源开启检测电路，其特征在于，包含：

权利要求1至7中的任何一项所述的基准电压产生电路；以及

比较电路，将所述基准电压与基于电源电压所产生的内部电压进行比较，从而输出电源开启检测信号；

其中，所述比较电路响应所述基准电压产生电路所输出的所述检测信号，将所述基准电压与所述内部电压进行比较。

9.一种半导体装置，其特征在于，包含：

权利要求8所述的电源开启检测电路；

其中，所述半导体装置基于所述电源开启检测电路所输出的所述电源开启检测信号，执行电源开启程序。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置为NAND型快闪存储器，当执行所述电源开启程序时，读取存储在存储单元中与运作有关的设定信息。