[发明专利]处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202010027068.4 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111435636A | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 及川翔;横山政司;冈野太一;河崎俊一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制外周构件的消耗并且去除外周构件之上的沉积物的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法使用等离子体处理装置来对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：一边从所述第一电源向所述外周构件施加电压，一边使被处理体暴露在具有沉积性的前体的等离子体中；以及在暴露于所述等离子体中的工序期间中，观测沉积在所述外周构件之上的包含碳的沉积膜的状态，基于观测到的所述沉积膜的状态来控制向所述外周构件施加的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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