[发明专利]电子器件在审
| 申请号： | 202010011840.3 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111415986A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | P·莫恩斯;A·巴纳尔吉;P·范米尔贝克;F·J·G·德克勒克;A·斯托克曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子器件。所述电子器件可包括高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括掩埋区，覆盖在所述掩埋区上面的沟道层，栅极电极，以及覆盖在所述掩埋区上面的漏极电极。所述掩埋区可朝向所述栅极电极延伸并且不在所述栅极电极下面。在特定方面，所述电子器件还可包括覆盖在所述沟道层上面的p型半导体构件。所述栅极电极可覆盖在所述沟道层上面，并且p型半导体构件覆盖在所述沟道层上面。所述漏极电极可覆盖在所述掩埋区和所述p型半导体构件上面并与其接触。所述p型半导体构件可被设置在所述栅极电极和所述漏极电极之间。在另一个实施方案中，除了或代替耦接到所述漏极电极的所述掩埋区，可以使用源极侧掩埋区。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
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