[发明专利]一种钝化接触晶体硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本申请公开了钝化接触晶体硅太阳能电池制作方法：在硅片的正面形成扩散层；在硅片的背面和扩散层背离硅片的表面分别形成氧化层，并在氧化层背离硅片的表面形成多晶硅层；对位于背面的多晶硅层进行扩散，形成掺杂型多晶硅层；用酸混合液去除位于正面的氧化层和多晶硅层，酸混合液包括氢氟酸、硝酸、硫酸；去除在形成扩散层和形成掺杂型多晶硅层时产生的掺杂型玻璃层；在扩散层背离硅片的表面形成第一钝化层；在掺杂型多晶硅层背离硅片的表面形成第二钝化层；在第一钝化层背离扩散层的表面形成第一电极，在第二钝化层背离掺杂型多晶硅层的表面形成第二电极。该方法工艺简单、不需添加剂，且提升电池效率和良率。本申请还提供具有上述优点的电池。