[发明专利]用于有机膜的平坦化的方法在审
| 申请号： | 201980075002.8 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113016054A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·史密斯;安东·德维利耶;罗伯特·布兰特;约迪·格热希科维亚克;丹尼尔·富尔福德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;董娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文的技术包括用于使在半导体器件的制造中使用的膜平坦化的方法。这种制造可以在衬底的表面上生成各结构，并且这些结构在该表面上可以具有空间可变的密度。本文的平坦化方法包括在这些结构和该衬底之上沉积第一酸不稳定性膜，该第一酸不稳定性膜填充在这些结构之间。在该第一酸不稳定性膜之上沉积第二酸不稳定性膜。在该第二酸不稳定性膜之上沉积酸源膜，该酸源膜包括生酸剂，该生酸剂被配置为响应于接收到具有预定波长的光的辐射而生成酸。将辐射图案投射在该酸源膜上方，该辐射图案在该辐射图案的预定区域处具有空间可变的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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