[发明专利]永磁体系统及其形成方法在审
申请号: | 201980068342.8 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN112912748A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 黄少滢;任志华;牟汶川;龚嘉 | 申请(专利权)人: | 新加坡科技设计大学 |
主分类号: | G01R33/383 | 分类号: | G01R33/383;H01F7/02 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 林军;王珺 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种形成永磁体系统的方法,该方法包括:确定用于形成磁环对阵列的一种或多种类型的几何参数,该磁环对阵列包括第一磁环的第一子阵列以及沿纵轴与第一磁环的第一子阵列间隔开的第二磁环的第二子阵列;基于所确定的一种或多种类型的几何参数形成磁环对阵列,其中,上述的确定用于形成磁环对阵列的一种或多种类型的几何参数是基于遗传算法的。还提供了诸如由该方法形成的对应的永磁体系统。 | ||
搜索关键词: | 永磁体 系统 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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