[发明专利]暗场光学检查装置在审
| 申请号： | 201980066101.X | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112867919A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | M·杜兰德·德热维涅 | 申请（专利权）人： | 统一半导体公司 |
| 主分类号： | G01N21/47 | 分类号： | G01N21/47;G01B11/30;G02B5/10;G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王小东;黄纶伟 |
| 地址： | 法国蒙特邦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对诸如用于电子器件、光学器件或电子器件的晶片的基板(3)进行检查的暗场光学装置(1)，该暗场光学装置包括：光源(4)，该光源生成被投射到基板(3)的检查区(P)上并且能够以漫射辐射(5)的形式从该检查区反射的至少一个入射照明光束(4a、4a’、4a”)；至少一个第一收集装置(7a)以及一个第二收集装置(7b)；以及反射光学装置(6)，该反射光学装置沿收集装置(7a、7b)的方向引导漫射辐射(5)的从与检查区(P)重合的光学收集焦点(F)发出的至少一部分，反射光学装置具有第一反射区(6a)和第二反射区，从反射区朝着与光学收集焦点(F)在光学上共轭的第一光学检测焦点(Fa)反射漫射辐射(5)的第一部分，并且从反射区朝着与光学收集焦点(F)在光学上共轭并与第一光学检测焦点(Fa)分离的第二光学检测焦点(Fb)反射漫射辐射(5)的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 暗场 光学 检查 装置 | ||
【主权项】：
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