[发明专利]摄像装置在审
| 申请号： | 201980059490.3 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112673484A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 古见孝治;万田周治;松本良辅;平野智之 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开，提供了一种摄像装置，其包括：第一半导体层(180)，其形成在半导体基板上；第二半导体层(170)，其形成在所述第一半导体层(180)上，并且具有与所述第一半导体层(180)相反的导电类型；像素分离部(150)，其划分包括所述第一半导体层(180)和所述第二半导体层(170)的像素区域；第一电极(130)，其从所述半导体基板的一个表面侧连接至所述第一半导体层(180)；和金属层(152)，其从作为所述半导体基板的另一面的光照射表面侧连接至所述第二半导体层(170)，在所述半导体基板的厚度方向上至少部分地，所述金属层(152)被埋入所述像素分离部(150)中。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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