[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 201980055337.3 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN112585730A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 松永浩一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 【技术问题】在用气体对能够在正面侧形成半导体器件的基片进行处理的方法中，在基片的背面形成膜厚的面内均匀性良好的薄膜。【技术手段】该方法包含：在正面朝上的状态下用支承部对基片的背面进行支承，在基片的背面和与背面相对的引导面之间形成间隙的工序；从比支承于支承部的基片靠外侧处进行排气的工序；从引导面侧经由气体释放口对间隙供给原料气体并且对原料气体进行加热，从而在基片的背面通过蒸镀来成膜薄膜的工序，具备下述条件中的至少一者：(a)成膜工序包含在成膜中途使上述间隙的高度从第1值和比该第1值小的第2值中的一者变更为另一者工序；(b)成膜工序包含在成膜中途变更基片的径向的位置彼此不同的第1气体释放口和第2气体释放口的各释放流量的流量比的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
