[发明专利]热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法在审
| 申请号： | 201980055211.6 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112602202A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 加藤邦久;武藤豪志;户高昌也;胜田祐马 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/08;H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序；(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序；(C)对所述热电转换材料层进行退火处理的工序；(D)将退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层(11b)的工序；(E)将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序；以及(F)将单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 转换 材料 芯片 制造 方法 以及 使用 通过 得到 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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