[发明专利]光电转换元件和光电转换元件的制造方法在审
| 申请号： | 201980052815.5 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN112567535A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 吉河训太;河崎勇人;小泉玄介 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够实现输出提高的光电转换元件。光电转换元件(1)包含：在半导体基板(11)的背面侧的一部分依次层叠有本征半导体层(23)和第一导电型半导体层(25)的第一区域(7)；以及在半导体基板(11)的背面侧的另一部分依次层叠有本征半导体层(33)和第二导电型半导体层(35)的第二区域(8)，在该背面接合型的光电转换元件中，第一区域(7)中的本征半导体层(23)的折射率比第二区域(8)中的本征半导体层(33)的折射率小。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
