[发明专利]低电压电子穿透性薄膜在审

专利信息
申请号: 201980048584.0 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN112470250A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 约翰·贝内特 申请(专利权)人: 约翰·贝内特
主分类号: H01J40/06 分类号: H01J40/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 潘军
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一个或多个薄膜保护阴极,所述薄膜由薄的材料层组成,所述薄的材料层允许电子通过,同时防止所述阴极免受源自所述薄膜之外的元素的污染或防止外部设备免受源自所述阴极上或所述阴极附近的元素的污染。所述薄膜可由绝缘体支撑,所述绝缘体进而由偏转层支撑。所述薄膜可相对于所述阴极维持处于正电压,使得在所述阴极与所述薄膜之间产生将由所述阴极发射的电子背离所述阴极加速的电压梯度。所述薄膜位于与所述阴极相距的适当距离处,以允许在所述距离处进行与所述电子的能量匹配的电子透射。
搜索关键词: 电压 电子 穿透性 薄膜
【主权项】:
暂无信息
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