[发明专利]低电压电子穿透性薄膜

权利要求书

1.一种系统，其包括：

阴极；

设备，所述设备产生在远离所述阴极的点处更正的电压梯度，所述阴极拥有小于100伏特的电压；

真空室，所述真空室中设置有所述阴极和所述电压梯度，所述真空室将至少所述阴极和所述电压梯度封闭在真空中，并且将所述阴极和所述电压梯度保持在适当位置，使得所述电压梯度源自所述阴极并且从所述阴极延伸；

电路，所述电路连接到所述阴极和所述设备并且在其间供应电压差，从而支持所述电压梯度；以及

一个或多个薄膜结构，所述一个或多个薄膜结构设置在所述真空室内，所述一个或多个薄膜结构设置在所述阴极与远离所述阴极的所述点之间，并且包括：

偏转结构；

绝缘结构；以及

薄膜；

其中所述偏转结构与所述阴极接触，所述绝缘结构与所述偏转结构接触而不与所述阴极接触，所述偏转层耦接所述绝缘结构和所述薄膜而不与所述阴极或所述设备接触，所述薄膜连接到所述绝缘结构而不与所述阴极或所述设备接触；

其中所述电压梯度将由所述阴极发射的电子朝向所述梯度的更正区域加速；并且

其中所述薄膜允许电子通过并且阻挡大于电子的原子粒子。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述阴极是光电阴极。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述偏转层是导电的，并且所述偏转层处的电压与所述阴极处的电压基本上相同。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述阴极是电子分配阴极。

5.一种用于具有在远离阴极的点处更正的电压梯度的设备的薄膜系统，其包括一个或多个薄膜；其中所述一个或多个薄膜中的至少一个封闭所述阴极；其中所述一个或多个薄膜允许电子通过并且阻挡原子和分子。

6.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个薄膜中的至少一个是导体。

7.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个薄膜中的至少一个是半导体。

8.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个薄膜中的至少一个是绝缘体。

9.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个薄膜中的至少一个包括高导电子层，并且所述一个或多个薄膜中的至少一个包括较低导电子层。

10.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个薄膜中的至少一个包括半导体子层，并且所述一个或多个薄膜中的至少一个包括较低导电子层。

11.如权利要求5所述的系统，其中在所述薄膜上建立正电压，所述电压相对于所述阴极为正。

12.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个薄膜中的至少一个是单层。

13.一种防止与阴极有关的污染的方法，其包括：

所述阴极具有发射侧和非发射侧，将第一薄膜放置成与所述阴极的所述发射侧接触，所述第一薄膜允许电子通过并且阻挡原子和分子。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一薄膜拥有多个层，至少一个层包括半导体并且至少一个层包括绝缘体。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述第一薄膜拥有多个层，至少一个层包括导电材料并且至少一个层包括半导电材料。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述第一薄膜拥有多个层，至少一个层包括高导电子层并且至少一个层包括较低导电子层。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述第一薄膜是单层。