[发明专利]单晶硅锭生产期间的样品棒生长及电阻率测量在审
| 申请号： | 201980043704.8 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112469850A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 卡瑞喜玛·玛莉·哈德森;J·柳;R·J·菲利普斯;R·斯坦德利;李衡敏;李荣中 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示具有经改进电阻率控制的用于形成单晶硅锭的方法。所述方法涉及样品棒的生长及电阻率测量。所述样品棒可具有小于产品锭的直径的直径。可通过使电阻率探针与形成在所述样品棒上的平坦片段接触而直接测量所述样品棒的电阻率。可在测量所述电阻率之前在热供体消除循环中使所述样品棒退火。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生产 期间 样品 生长 电阻率 测量 | ||
【主权项】：
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