[发明专利]单晶硅锭生产期间的样品棒生长及电阻率测量

权利要求书

1.一种用于从固持在坩埚内的硅熔体生产单晶硅锭的方法，其包含：

将多晶硅添加到所述坩埚；

加热所述多晶硅以在所述坩埚中形成硅熔体；

从所述熔体提拉样品棒，所述样品棒具有直径；

使所述样品棒退火以消灭热供体；

在消灭热供体之后测量所述样品棒的电阻率；及

从所述熔体提拉产品锭，所述产品锭具有直径，所述样品棒的所述直径小于所述产品锭的所述直径。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过使所述棒与电阻率探针接触而测量所述样品棒的电阻率。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中在不将所述样品棒切成晶片或锭块的情况下测量所述样品棒的电阻率。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其进一步包含在所述样品棒上形成平坦片段，在所述平坦片段上测量所述样品棒的电阻率。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述平坦片段从所述样品棒的一个端朝向所述样品棒的第二端轴向延伸。

6.根据权利要求4或权利要求5所述的方法，其中使探针与所述平坦片段接触以测量所述样品棒的电阻率。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其进一步包含将电流施加到所述样品棒以测量所述样品棒的电阻。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其中所述样品棒的所述直径小于所述产品锭的所述直径的0.75倍，或小于所述产品锭的所述直径的0.50倍、小于约0.25倍或小于0.1倍。

9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中所述样品棒具有平均直径，所述样品棒的所述平均直径小于约150mm、小于约100mm、小于约50mm、小于约25mm、小于约20mm、从约5mm到约150mm、从约5mm到约100mm、从约5mm到约50mm、从约5mm到约25mm或从约10mm到约25mm。

10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的方法，其中所述样品棒具有最大直径，所述样品棒的所述最大直径为小于约150mm、小于约100mm、小于约50mm、小于约25mm、小于约20mm、从约5mm到约150mm、从约5mm到约100mm、从约5mm到约50mm、从约5mm到约25mm或从约10mm到约25mm。

11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的方法，其中所述样品棒具有小于约300mm、小于约200mm或小于约100mm的长度。

12.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的方法，其中所述产品锭具有至少约1,500Ω-cm、或至少约2,000Ω-cm、至少约4,000Ω-cm、至少约6,000Ω-cm、至少约8,000Ω-cm、至少约10,000Ω-cm、从约1,500Ω-cm到约50,000ohm-cm或从约8,000Ω-cm到约50,000Ω-cm的电阻率。

13.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的方法，其中所述样品棒具有至少约1,500Ω-cm、或至少约2,000Ω-cm、至少约4,000Ω-cm、至少约6,000Ω-cm、至少约8,000Ω-cm、至少约10,000Ω-cm、从约1,500Ω-cm到约50,000ohm-cm或从约8,000Ω-cm到约50,000Ω-cm的电阻率。

14.根据权利要求1到13中任一权利要求所述的方法，其包含确定所述样品棒的平均电阻率。

15.根据权利要求14所述的方法，其中通过测量设备固定所述样品棒，所述测量设备包含在使所述样品棒与电阻率探针接触时固持所述样品棒的夹具。