[发明专利]铝兼容薄膜电阻器(TFR)及其制造方法在审
| 申请号： | 201980039662.0 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN112313809A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | J·H·萨托;冷耀俭;G·A·斯托姆 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于在集成电路(IC)结构中制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法，该方法可包括：在电介质区域中形成沟槽；在该沟槽中形成TFR元件，该TFR元件包括横向延伸的TFR区域和从横向延伸的TFR区域向上延伸的TFR脊；在所述TFR元件上方沉积至少一个金属层；以及图案化该至少一个金属层并且使用金属蚀刻来蚀刻该至少一个金属层以在该TFR元件上方限定一对金属TFR头部，其中该金属蚀刻还移除所述向上延伸的TFR脊的至少一部分。该方法也可包括形成至少一个导电TFR触点，该触点延伸穿过TFR元件并与相应TFR头部接触，从而增加相应TFR头部与TFR元件之间的导电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 薄膜 电阻器 tfr 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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