[发明专利]铝兼容薄膜电阻器(TFR)及其制造方法

权利要求书

1.一种用于在集成电路(IC)结构中制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法，所述方法包括：

在电介质区域中形成沟槽；

在所述沟槽中形成TFR元件，所述TFR元件包括横向延伸的TFR区域和从横向延伸的TFR区域向上延伸的TFR脊；

在所述TFR元件上方沉积至少一个金属层；

图案化所述至少一个金属层并且使用金属蚀刻来蚀刻所述至少一个金属层以在所述TFR元件上方限定一对金属TFR头部，其中所述金属蚀刻还移除所述向上延伸的TFR脊的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法仅包括以下两个掩膜步骤：

用于在所述电介质区域中形成所述沟槽的第一掩膜步骤；以及

用于图案化所述至少一个金属层以进行所述金属蚀刻的第二掩膜步骤。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中所述TFR元件上方的所述至少一个金属层包含铝，使得所述一对金属TFR头部包括铝TFR头部。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中所述TFR元件上方的所述至少一个金属层包括：

第一金属层，所述第一金属层形成于所述TFR元件上方并且包含钛(Ti)或氮化钛(TiN)；和

铝层，所述铝层形成于所述第一金属层上方。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，还包括：

在所述TFR元件上方沉积所述至少一个金属层之前，蚀刻触点开口并用导电材料填充所述触点开口以限定器件触点；并且

其中所述至少一个金属层沉积在所述TFR元件上方和所述器件触点上方；并且

其中所述金属蚀刻限定导电耦接到所述器件触点的金属触点。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，还包括在所述TFR元件上方沉积所述至少一个金属层之前，形成延伸穿过所述TFR元件的厚度的导电TFR触点；

其中所述金属TFR头部中的第一金属TFR头部形成为与所述导电TFR触点接触，从而经由所述导电TFR触点限定所述第一TFR头部与所述TFR元件之间的导电路径。

7.根据权利要求0所述的方法，其中形成所述至少一个导电TFR触点包括：

蚀刻延伸穿过所述TFR元件的横向边缘区域的至少一个TFR触点开口；以及

用导电材料填充每个TFR触点开口以限定相应的导电TFR触点，所述导电TFR触点具有与所述TFR元件的至少一个侧表面接触的至少一个侧表面。

8.根据权利要求0所述的方法，其中每个导电TFR触点包含钨。

9.根据权利要求0所述的方法，其中每个导电TFR触点在所述TFR元件的底表面下方延伸。

10.根据权利要求0所述的方法，包括在所述TFR元件的第一端部处形成多个分立导电TFR触点并且所述多个分立导电TFR触点与顶表面接触，所述顶表面与所述金属TFR头部中的一个头部接触。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，还包括形成延伸穿过所述TFR元件的厚度的至少一个导电TFR触点，

其中每个导电TFR触点包括：

至少一个侧表面，所述至少一个侧表面与所述TFR元件的至少一个侧表面接触，和

顶表面，所述顶表面与所述金属TFR头部中的一个头部接触，

其中所述至少一个导电TFR触点增加所述TFR元件与所述金属TFR头部中的至少一个头部之间的导电性。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中在所述金属蚀刻之前，所述向上延伸的TFR脊围绕所述TFR横向延伸的TFR区域的圆周延伸。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述金属蚀刻移除所述向上延伸的TFR脊的部分高度。