[发明专利]复合超导量子干涉设备输出放大器和方法在审

专利信息
申请号: 201980033503.X 申请日: 2019-05-13
公开(公告)号: CN112136275A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: J·D·伊根;Q·P·赫尔 申请(专利权)人: 微软技术许可有限责任公司
主分类号: H03K19/195 分类号: H03K19/195
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 黄倩
地址: 美国华*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了包括复合超导量子干涉设备(SQUID)输出放大器级的堆叠的输出放大器和相关方法。方法包括接收包括第一多个单通量量子(SFQ)脉冲的第一脉冲序列。方法还可以包括接收包括第二多个SFQ脉冲的第二脉冲序列,其中第二脉冲序列相对于第一脉冲序列被延迟时钟周期的预定分数。方法还可以包括使用多个复合SQUID输出放大器级的堆叠将第一多个SFQ脉冲和第二多个SFQ脉冲转换成电压波形,其中多个复合SQUID输出放大器级中的每一个包括一对超导量子干涉设备(SQUID)。
搜索关键词: 复合 超导 量子 干涉 设备 输出 放大器 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微软技术许可有限责任公司,未经微软技术许可有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980033503.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 快速单通量量子脉冲乘法器-202180083027.X
  • M·贝克;J·蒂默威尔克 - 国际商业机器公司
  • 2021-12-08 - 2023-10-10 - H03K19/195
  • 一种基于单通量量子(SFQ)脉冲生成输出信号的方法,包括接收SFQ脉冲并将其分成第一路径和第二路径。第二路径的分裂的SFQ脉冲存储在锁存器中。提供第一路的分裂的SFQ脉冲的第二分裂,以提供第一路的第一输出信号和第二输出信号。该第二输出信号被延迟约瑟夫森传输线(JTL)延迟。延迟JTL的输出被提供作为锁存器的时钟输入。第一路径的第一输出与锁存器的输出重新组合以提供输出信号。
  • 量子电路的完全随机化基准测试的方法和系统-202280008182.X
  • 黄甲辰;陈建鑫 - 阿里巴巴新加坡控股有限公司
  • 2022-03-11 - 2023-08-22 - H03K19/195
  • 一种量子电路的完全随机化基准测试的方法、装置和系统包括:基于量子门的参数,生成m1个随机幺正量子门的表示;确定与恒等算子等价的第一量子门序列的表示;确定与恒等算子等价的第二量子门序列的表示;向量子计算设备发送第一量子门序列的表示对应的硬件指令和第二量子门序列的表示对应的硬件指令;在量子计算设备将第一量子门序列应用于量子位达第一次数之后,从量子计算设备接收对量子位的第一次数的测量,以及在量子计算设备将第二量子门序列应用于量子位达第二次数之后,从量子计算设备接收对量子位的第二次数的测量;以及基于第一概率和第二概率确定量子门的保真度值。
  • 具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路-202180054859.9
  • D·J·赖利 - 微软技术许可有限责任公司
  • 2021-06-01 - 2023-05-23 - H03K19/195
  • 提供了与具有非易失性阈值电压偏移补偿的低功率低温CMOS电路相关的系统和方法。一种系统(700)包括被配置为在低温环境(300K)中操作的多个器件(760),其中与多个器件(760)相关联的阈值电压的第一分布具有第一值,该第一值指示阈值电压的扩展度测量。该系统(700)还包括控制逻辑(712,714),其被耦合到多个器件(760)中的每个器件,该控制逻辑被配置为修改(714out)与多个器件(760)中的每个器件相关联的阈值电压,使得第一分布被改变为第二分布,该第二分布具有阈值电压的扩展度测量的第二值,该第二值表示多个器件的阈值电压之间的较低变化。
  • 接口电路、接口模块及应用系统-202210418870.5
  • 高小平;任洁;高茜;王镇 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2022-04-20 - 2022-08-26 - H03K19/195
  • 本发明提供一种接口电路,包括:第一约瑟夫森结,第一端连接第一电感的第一端和第二电感的第一端并接入第一偏置电流,第二端接地;第一电感的第二端接入超导时钟信号;第二电感的第二端连接第二约瑟夫森结的第一端;第二约瑟夫森结的第二端连接第三约瑟夫森结的第一端、第三电感的第一端及第四电感的第一端;第三约瑟夫森结的第二端接地;第三电感的第二端接入CMOS数据信号;第四电感的第二端连接第五电感的第一端并接入第二偏置电流;第五电感的第二端产生超导输出信号。通过本发明的接口电路,突破了传统设计,提供一种新的非归零CMOS‑RSFQ接口电路。
  • 一种超导接口电路-202111657741.3
  • 彭析竹;赵瑞扬;周正柯 - 电子科技大学
  • 2021-12-30 - 2022-04-08 - H03K19/195
  • 本发明属于超导集成电路技术领域,具体涉及一种超导接口电路。本发明的超导接口电路包括前级放大电路4约瑟夫森锁存器,作为输入检测电路,用来检测超导数字集成电路微安级别的输出电流;铃木堆栈,作为后续放大器,接收4JL产生的驱动电流,并在交流偏置的作用下,产生几十毫伏级的输出电压来驱动后续的半导体集成电路。本发明通过调节前级放大电路4JL的约瑟夫森结的临界电流大小和比例,使得超导接口电路能够检测到几十微安左右的输入电流,保证了超导接口电路的检测精度;此外采用串联约瑟夫森结的方法,减小了超导接口电路触发后的回流。本发明的超导接口电路可以独立封装,大大增加了接口电路在超导电路中的灵活性和应用前景。
  • 用于量子位的电荷锁定电路和控制系统-202080043770.8
  • K·达斯;A·莫伊尼;D·J·雷利 - 微软技术许可有限责任公司
  • 2020-04-27 - 2022-01-28 - H03K19/195
  • 提供了与用于量子位的电荷锁定电路和控制系统相关的系统和方法。一种用于控制量子位门的系统包括第一封装设备,包括量子设备,该量子设备包括多个量子位门,其中量子设备被配置为在低温下操作。该系统还包括第二封装设备,包括被配置为在低温下操作的控制电路,其中第一封装设备被耦合至第二封装设备,并且其中控制电路包括多个电荷锁定电路,其中多个电荷锁定电路中的每个电荷锁定电路经由互连被耦合至多个量子位门中的至少一个量子位门,使得多个电荷锁定电路中的每个电荷锁定电路被配置为向至少一个量子位门提供电压信号。
  • 高能效SFQ逻辑偏置技术-202080020497.7
  • S·R·怀特利 - 美商新思科技有限公司
  • 2020-03-12 - 2021-10-26 - H03K19/195
  • 本文公开了包括电结构的实施例,该电结构包括第一单元、第一电感器、第一电阻器和第一分流约瑟夫森结。第一电感器在第一电感器的第一端子端部处与第一分流约瑟夫森结串联连接,并且第一电感器的第二端子端部连接到被供电的第一单元的馈电点。第一电阻器的第一端部连接到接地,并且第二端部在第一分流约瑟夫森结的未连接到第一电感器的端子处连接到第一分流约瑟夫森结。在第一单元外部的电流源的源在公共点处连接到第一分流结和第一电阻器。
  • 针对具有异或门和与门的禁止门的超导电路-201980062060.7
  • J·R·鲍威尔;A·L·布朗 - 微软技术许可有限责任公司
  • 2019-06-25 - 2021-04-30 - H03K19/195
  • 提供了针对禁止门的基于超导电路的设备和方法。在一个示例中,针对禁止门的电路包括输出端子,用于接收第一组单通量量子(SFQ)脉冲的第一输入端子(ai),以及提供用于接收第二组SFQ脉冲的第二输入端子(bi)。该电路可以进一步包括第一级(105),该第一级被配置为对经由第一输入端子而被接收的第一组SFQ脉冲和经由第二输入端子而被接收的第二组SFQ脉冲执行异或操作,以生成异或结果。该电路可以进一步包括被耦合到第一级的第二级(115),该第二级被配置为对异或结果和经由第一输入端子而被接收的第一组SFQ脉冲执行与操作,并且经由输出端子提供输出。
  • 复合超导量子干涉设备输出放大器和方法-201980033503.X
  • J·D·伊根;Q·P·赫尔 - 微软技术许可有限责任公司
  • 2019-05-13 - 2020-12-25 - H03K19/195
  • 提供了包括复合超导量子干涉设备(SQUID)输出放大器级的堆叠的输出放大器和相关方法。方法包括接收包括第一多个单通量量子(SFQ)脉冲的第一脉冲序列。方法还可以包括接收包括第二多个SFQ脉冲的第二脉冲序列,其中第二脉冲序列相对于第一脉冲序列被延迟时钟周期的预定分数。方法还可以包括使用多个复合SQUID输出放大器级的堆叠将第一多个SFQ脉冲和第二多个SFQ脉冲转换成电压波形,其中多个复合SQUID输出放大器级中的每一个包括一对超导量子干涉设备(SQUID)。
  • 在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法-201280037177.8
  • V·斯瓦拉马克瑞希楠;T·S·拉维;A·卡祖巴;Q·V·特鲁翁;J·R·瓦特斯 - 晶阳股份有限公司
  • 2012-05-29 - 2016-11-23 - H03K19/195
  • 一种通过硅前体消耗模式中的外延沉积与交叉流沉积来沉积薄的单晶硅晶片的系统,其可包括:具有低总热量、高发射率和小体积的衬底载体;具有快速升温、高效产热、和加热空间控制的灯模块;以及为交叉流处理而设计的歧管。此外,衬底载体可包括热反射器,以控制从载体边缘的热损失和/或控制热阻挡件,以使载体与歧管热绝缘,使歧管可进行的独立的温度控制。载体和衬底可配置成在衬底的两侧进行沉积,衬底在两侧上具有剥离层以及载体配置成在衬底在两侧上具有均等的工艺气流。通过一种包括多个微型批量处理反应器的沉积系统可处理高容量。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top