[发明专利]用于EUV光刻术的表膜

摘要

一种晶片，包括在一个面上的掩模和在相对面上的至少一个层，其中所述掩模包括至少一个划线，所述划线与所述相对面的实质上不含所描述的至少一个层的至少一部分叠置。还描述一种制备表膜的方法，包括以下步骤：提供晶片，所述晶片包括在一个面上的掩模和在相对面上的至少一个层；在所述掩模中限定划线；和选择性地去除所述至少一个层的一部分，所述部分至少部分地与所述划线叠置；以及一种制备表膜的方法，所述方法包括以下步骤：提供表膜芯部，和在非氧化环境中从所述表膜芯部的至少一个面去除至少一些材料。在任何方面中，所述表膜可以包括金属氮化物层。