[发明专利]制造EUV可图案化硬掩模的方法在审
| 申请号： | 201980028279.5 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN112020676A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 吴成浩;蒂莫西·威廉·威德曼;卡蒂·纳尔迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/004;H01L21/033;H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在半导体衬底上制造薄膜的方法，半导体衬底可使用EUV以图案化，该方法包括：将有机金属前体的蒸气流与逆反应物的蒸气流混合，以形成聚合的有机金属材料；并将类有机金属聚合物材料沉积在半导体衬底的表面上。混合及沉积操作可以通过以下执行：化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)工艺、以及具有CVD组分的ALD，例如不连续的类ALD工艺，其中金属前体及逆反应物不论在时间上或空间上均为分离的。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 euv 图案 化硬掩模 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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