[发明专利]光检测器在审
| 申请号： | 201980021327.8 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111902949A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 杉浦裕树;井上晓登 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 安香子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 固体摄像元件(100)具备：P型的半导体基板(10)；N型的第一半导体层(11)，位于半导体基板(10)的上方，在第一区域(A1)中与半导体基板(10)接合；以及N型的第二半导体层(12)，在比第一区域(A1)靠外侧的第二区域(A2)中位于半导体基板(10)及第一半导体层(11)之间，其杂质浓度比第一半导体层(11)的杂质浓度低。半导体基板(10)及第一半导体层(11)形成APD1；在半导体基板(10)的厚度方向上，第二半导体层(12)达到比半导体基板(10)及第一半导体层(11)的边界部(14)靠下方的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
