[发明专利]处理装置、排气系统、半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201980013166.8 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111712904A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 奥野正则;米岛利彦;坂田雅和;谷内正导 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 沈静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本实施方式，提供具有如下各部的结构：处理单元，其在壳体的内部具备利用气体处理基板的处理炉，在壳体的侧壁部形成有能够进行维护的开口部；排气单元，其以在与开口部相对的区域设置维护区域的方式设置，从处理炉对气体进行排气；以及排气装置，其以在与开口部相对的区域设置维护区域的方式设置，并且，以与排气单元相邻的方式配置于该排气单元的与处理单元侧相反的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 排气 系统 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
