[发明专利]多个串之间共用漏极选择栅电极的三维NAND存储器装置有效
| 申请号： | 201980005995.1 | 申请日： | 2019-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111406318B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | V.迪普;C.H.卢;H.陈;C.陈 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B43/35;H10B43/27;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 各种实施例中的系统、方法和装置在竖直NAND串中提供“串共用”漏极选择栅电极和“串选择性”漏极选择栅电极。各种实施例可提供两个或更多个竖直NAND串，其共用共同漏极选择栅电极，同时还具有不跨越所述两个或更多个竖直NAND串而电气连接的独立的额外漏极选择栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 多个串 之间 共用 选择 电极 三维 nand 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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