[发明专利]用于估计SOC-OCV曲线的方法和设备

摘要

本公开涉及用于基于预存储的半电池充电状态(SOC)‑开路电压(OCV)曲线而估计反映二次电池的劣化率的SOC‑OCV曲线的方法和设备。根据本公开的用于估计SOC‑OCV曲线的设备包括：存储单元，其存储寿命开始(BOL)正电极半电池SOC‑OCV曲线、BOL正电极可用范围、BOL负电极半电池SOC‑OCV曲线、BOL负电极可用范围、BOL全电池SOC‑OCV曲线和BOL全电池总容量；以及控制单元，其估计寿命中期(MOL)处的全电池SOC‑OCV曲线。控制单元包括：可用范围确定模块，其被配置成当二次电池在二次电池处于MOL时在放电电压的下限与充电电压的上限之间被完全充电或完全放电时计算MOL全电池总容量，并且确定MOL正电极可用范围和MOL负电极可用范围，以使得MOL全电池总容量与BOL全电池总容量的比率等于MOL正电极可用范围与BOL正电极可用范围的比率以及MOL负电极可用范围与BOL负电极可用范围的比率中的每一个；以及曲线管理模块，其被配置成将与对应于MOL正电极可用范围的正电极半电池SOC‑OCV曲线部分与对应于MOL负电极可用范围的负电极半电池SOC‑OCV曲线部分之间的差相对应的差分曲线估计为MOL全电池SOC‑OCV曲线，并将存储在存储单元中的BOL全电池SOC‑OCV曲线更新为所估计的MOL全电池SOC‑OCV曲线。