[实用新型]一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器有效

专利信息
申请号: 201922211427.7 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN210074423U 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 李迈克 申请(专利权)人: 中证博芯(重庆)半导体有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183
代理公司: 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 代理人: 穆祥维
地址: 401573 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 实用新型提供一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器,包括底面形成有VCSEL阴极层的衬底基板,衬底基板表面顺序形成有下DBR层、有源区域、氧化限制层和上DBR层,氧化限制层和上DBR层之间设置有液晶盒层和偏光片层,液晶盒层包括顺序层叠的液晶阳极、液晶盒和液晶阴极,液晶阳极为相隔预定间距的多列条状透明电极构成形成在氧化限制层表面,液晶盒包括相对配置的下取向层和上取向层及设置在上下取向层边缘的封框胶,液晶盒体内灌注有液晶和散布有隔离球,液晶阴极为整块透明电极构成形成在上取向层表面,偏光片层形成在液晶阴极表面并与上DBR层底面接触。本申请通过改变液晶阴阳极电压来改变VCSEL出光波长,能实现更低成本且应用范围广。
搜索关键词: 液晶 液晶盒 氧化限制层 取向层 衬底基板 偏光片层 光波长 底面 腔面发射激光器 阴极 条状透明电极 本实用新型 取向层表面 应用范围广 表面顺序 透明电极 相对配置 新型垂直 阴极表面 阳极 低成本 封框胶 隔离球 阴极层 源区域 调出 多列 整块 灌注 相隔 散布 体内 申请
【主权项】:
1.一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器,包括衬底基板,所述衬底基板底面形成有VCSEL阴极层,所述衬底基板表面形成有高反射率的下DBR层,所述下DBR层表面形成有有源区域,所述有源区域表面形成有氧化限制层,所述氧化限制层表面形成有高反射率的上DBR层,其特征在于,所述氧化限制层和上DBR层之间设置有液晶盒层和偏光片层,所述液晶盒层包括顺序层叠的液晶阳极、液晶盒和液晶阴极,所述液晶阳极为相隔预定间距的多列条状透明电极构成形成在氧化限制层表面,所述液晶盒包括相对配置的下取向层和上取向层及设置在上下取向层边缘的封框胶,所述液晶盒体内灌注有液晶和散布有隔离球,所述液晶阴极为整块透明电极构成形成在上取向层表面,所述偏光片层形成在液晶阴极表面并与上DBR层底面接触。/n
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