[实用新型]一种半导体器件结构及电子产品有效
| 申请号： | 201922200784.3 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN210837765U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 诸舜杰;钟添宾;阮孟波 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件结构及电子产品，所述半导体器件结构包括，第一半导体层，所述第一半导体层下表面设置有覆盖所述第一半导体层的第一半导体金属层，其特征在于，所述半导体器件结构还包括第二半导体层，所述第二半导体层上表面设置有覆盖所述第二半导体层的第二半导体金属层，所述第二半导体金属层上表面平行覆盖设置在所述第一半导体金属层下表面。本实用新型公开的技术方案以尽可能保证第一半导体层不翘曲的情况下降低导通电阻，增加散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 电子产品 | ||
【主权项】：
暂无信息
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