[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201921832026.7 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN210897290U | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 林信南;刘美华;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开属于一种半导体器件，属于半导体技术领域。本实用新型的半导体器件，包括：衬底、多层缓冲层构成的复合缓冲区、具有比缓冲区的带隙宽的带隙的阻挡区、盖帽区、多层绝缘层构成的复合绝缘区、源极、漏极、栅电极。本实用新型解决了现有的半导体器件漏电流大和阈值电压低问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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