[实用新型]一种量子阱层结构及半导体激光器有效
| 申请号： | 201921620111.7 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN211088742U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 颜建;黄勇;胡双元 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种量子阱层结构及半导体激光器，该量子阱层结构包括：第一混合层及第二混合层，第一混合层的材料为InAlGaAs，且In、Al、Ga、As的组分比值为y:z:(1‑y‑z):1；第二混合层的材料为AlGaAs，且Al、Ga、As的组分比值为x:1‑x:1。在量子阱层结构的厚度不变的情况下，将现有技术的单层量子阱层结构量分成多层。通过控制量子阱层结构中的In组分的量，从而控制具有In组分的第一混合层的厚度及第二混合层的厚度，确保第一混合层的材料不会由于晶格失配产生位错；该量子阱层结构应用于半导体激光器中，也不会导致半导体激光器的阈值电流，内量子效率，斜率效率等参数发生变化；在保持原有半导体激光器输出的各器件参数不变的情况下，提高半导体激光器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 结构 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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