[实用新型]电磁故障注入的检测电路、安全芯片和电子设备有效

专利信息
申请号: 201921338695.9 申请日: 2019-08-16
公开(公告)号: CN210006049U 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 薛建锋;杨江 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: G06F21/75 分类号: G06F21/75;G06F21/81
代理公司: 11329 北京龙双利达知识产权代理有限公司 代理人: 徐勇勇;毛威
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 提供了一种电磁故障注入的检测电路、安全芯片和电子设备,电磁故障注入的检测电路包括:屏蔽层,用于屏蔽干扰;至少一组金属氧化物半导体MOS管,所述至少一组MOS管的源端连接至所述屏蔽层;至少一个锁存器,所述至少一组MOS管的漏端连接至所述至少一个锁存器的输入端;信号输出模块,所述信号输出模块的输入端连接至所述至少一个锁存器的输出端。所述检测电路能够实时检测并及时预警电磁故障注入,以保证芯片的鲁棒性与安全性。此外,基于屏蔽层设计电磁故障注入的检测电路,能够达到有效简化电路结构、节省电路面积、避免出现静态功耗以及降低电路成本等目的。
搜索关键词: 电磁故障 检测电路 屏蔽层 锁存器 信号输出模块 金属氧化物半导体 简化电路结构 输入端连接 安全芯片 电路成本 电子设备 静态功耗 实时检测 鲁棒性 输出端 输入端 屏蔽 漏端 源端 电路 芯片 预警 保证
【主权项】:
1.一种电磁故障注入的检测电路,其特征在于,包括:/n屏蔽层,用于屏蔽干扰;/n至少一组金属氧化物半导体MOS管,所述至少一组MOS管的源端连接至所述屏蔽层;/n至少一个锁存器,所述至少一组MOS管的漏端连接至所述至少一个锁存器的输入端;/n信号输出模块,所述信号输出模块的输入端连接至所述至少一个锁存器的输出端,其中,所述信号输出模块配置为在所述至少一组MOS管中的部分或全部MOS导通的情况下输出第一目标信号以及在所述至少一组MOS管均断开的情况下输出第二目标信号,所述第一目标信号用于指示所述屏蔽层存在电磁故障注入,所述第二目标信号用于指示所述屏蔽层不存在电磁故障注入。/n
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