[实用新型]存储器器件有效
| 申请号： | 201921271607.8 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN211404528U | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | P·G·卡佩莱蒂;G·纳瓦罗 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会;意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及存储器器件。一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金的层的一部分形成由锗、锑和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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