[实用新型]一种基于NMOS管的低端驱动输出短路保护电路有效

专利信息
申请号: 201921251790.5 申请日: 2019-08-02
公开(公告)号: CN210517765U 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 刘汝涛;赵学峰;刘渊;霍舒豪;张德兆;王肖;李晓飞;张放 申请(专利权)人: 北京智行者科技有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08
代理公司: 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 代理人: 戴燕
地址: 100096 北京市昌平区回*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型实施例涉及一种基于NMOS管的低端驱动输出短路保护电路,第一电阻R1的一端连接控制信号输入端,另一端连接第二三极管T2的基极;第二三极管T2的发射极接地,第二三极管T2的集电极串联第五采样电阻R9到第一三极管T1的基极;第一三极管T1的发射极接电源,第一三极管T1的集电极接第四采样电阻R8的一端;第四采样电阻R8的另一端与NMOS管Q1的栅极和第三三极管T3的集电极分别相接;第三三极管T3的发射极接地,第三三极管T3的基极串联所述第二电阻R2与NMOS管Q1的源极相连;第一采样电阻R5串联在NMOS管Q1的源极与地之间;NMOS管Q1的漏极串联负载接电源,且NMOS管Q1的漏极串联第二采样电阻R6到采集信号输出端;第三采样电阻R7串联在采集信号输出端与地之间。
搜索关键词: 一种 基于 nmos 低端 驱动 输出 短路 保护 电路
【主权项】:
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