[实用新型]IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路有效

专利信息
申请号: 201921151585.1 申请日: 2019-07-22
公开(公告)号: CN210273486U 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 付红玲;李成忠;栾彪;谢辉;冯晶;郜峰利;于思瑶;张爽;王伟 申请(专利权)人: 江苏云意电气股份有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20
代理公司: 徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353 代理人: 晏荣府
地址: 221100 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路,涉及IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护技术领域。本实用新型包括电阻R4和电阻R5构成驱动电压V_HSDRV的分压电路,电阻R6、R7、R8和稳压芯片U1构成驱动电压V_HSDRV检测的比较基准电阻,上述元器件和一比较器芯片U2构成驱动电压V_HSDRV检测电路;还包括电阻R3、R10、R11构成退饱和保护电路;既能为IGBT退饱和提供保护,又能解决由于驱动电压过低提供保护,还适应当前种类繁多的IGBT参数要求。
搜索关键词: igbt 饱和 保护 驱动 电源 电路
【主权项】:
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