[实用新型]一种用于CIGS薄膜电池缓冲层的制备设备有效
申请号: | 201920990570.8 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN210467864U | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 刘红霞;徐晓元 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 姜波 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及光伏设备制造技术领域,具体涉及一种用于CIGS薄膜电池缓冲层的制备设备。本实用新型实施例提供的用于CIGS薄膜电池缓冲层的制备设备包括恒温水浴装置、固定装置、搅拌磁子、磁力搅拌器、密封盖和反应容器,所述反应容器内形成一端开口的容纳腔,密封盖盖合在开口端密封所述容纳腔,能够避免容纳腔内反应液的挥发;另外,在容纳腔内设置固定装置来固定衬底,衬底固定更加牢靠,能够改善因衬底在反应液中晃动造成镀膜不均匀的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 cigs 薄膜 电池 缓冲 制备 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的