[实用新型]一种抑制MOS管关断尖峰的电路有效
| 申请号： | 201920971973.8 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN209805668U | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 谢俊峰;梁炜 | 申请（专利权）人： | 北京伟仕天成科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/32 | 分类号： | H02M1/32 |
| 代理公司： | 11508 北京维正专利代理有限公司 | 代理人： | 刘乾帮 |
| 地址： | 102200 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种抑制MOS管关断尖峰的电路，包括两路吸收电路和控制吸收电路，其中一路吸收电路在吸收MOS关断尖峰时会分流至控制吸收电路对关断尖峰进行分流吸收，同时触发另一路吸收电路吸收MOS管关断尖峰，在MOS管导通时两个吸收电路均会对MOS管进行能量反馈，从而实现对MOS管的关断尖峰进行多路、多级吸收，控制吸收电路也能够对关断尖峰进行分流吸收，从而使MOS管的关断尖峰得到极大的抑制，同时在MOS管导通时两个吸收单元能够对MOS管进行多路能量反馈，从而保持MOS管稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 尖峰 吸收电路 关断 能量反馈 吸收 导通 多路 分流 本实用新型 多级吸收 吸收单元 触发 两路 电路 | ||
【主权项】：
1.一种抑制MOS管关断尖峰的电路，包括：/n第一吸收单元(1)，耦接所述MOS管且响应于MOS管的导通和关断输出不同的触发信号，当MOS管关断时吸收关断尖峰，当MOS管导通时对MOS管进行能量反馈；/n控制吸收电路，耦接所述第一吸收单元(1)和所述MOS管且响应于所述触发信号并输出第二控制信号，当MOS管关断时吸收关断尖峰；/n第二吸收单元(2)，耦接所述MOS管和所述控制吸收电路，响应于所述第二控制信号，当第一吸收单元(1)吸收关断尖峰时第二吸收单元(2)延时吸收关断尖峰，当第一吸收单元(1)对MOS管进行能量反馈时第二吸收单元(2)对MOS管也进行能量反馈。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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