[实用新型]一种抑制MOS管关断尖峰的电路

权利要求书

1.一种抑制MOS管关断尖峰的电路，包括：

第一吸收单元(1)，耦接所述MOS管且响应于MOS管的导通和关断输出不同的触发信号，当MOS管关断时吸收关断尖峰，当MOS管导通时对MOS管进行能量反馈；

控制吸收电路，耦接所述第一吸收单元(1)和所述MOS管且响应于所述触发信号并输出第二控制信号，当MOS管关断时吸收关断尖峰；

第二吸收单元(2)，耦接所述MOS管和所述控制吸收电路，响应于所述第二控制信号，当第一吸收单元(1)吸收关断尖峰时第二吸收单元(2)延时吸收关断尖峰，当第一吸收单元(1)对MOS管进行能量反馈时第二吸收单元(2)对MOS管也进行能量反馈。

2.根据权利要求1所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述第一吸收单元(1)包括串接于所述MOS管的源极和漏极之间的第一吸收电容和第一固定电阻，第一吸收电容和第一固定电阻耦接的节点输出所述触发信号。

3.根据权利要求1所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述控制吸收电路包括：

开关控制电路，耦接所述第一吸收单元(1)和所述MOS管且响应于所述触发信号并输出第一控制信号，同时对MOS管的关断尖峰进行分流；

RCD吸收电路(4)，耦接所述开关控制电路和所述MOS管且响应于所述第一控制信号并输出所述第二控制信号，同时吸收部分第一控制信号。

4.根据权利要求3所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述开关控制电路包括：

第一开关单元(31)，耦接所述第一吸收单元(1)和所述MOS管且响应于所述触发信号并输出开关信号；

第二开关单元(32)，耦接所述第一开关单元(31)且响应于所述开关信号并输出所述第一控制信号。

5.根据权利要求4所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述第一开关单元(31)设置为第一三极管，所述第一三极管基极所述第一吸收单元(1)且接收所述触发信号，集电极输出所述开关信号，发射极耦接所述MOS管的源极。

6.根据权利要求5所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述第二开关单元(32)包括第二固定电阻、第二三极管和钳位二极管，所述第二三极管集电极耦接电源，发射极输出所述第二控制信号，基极耦接所述第一开关单元(31)且接收所述第一开关信号，所述第二固定电阻并联于所述第二三极管的基极和集电极两端，所述钳位二极管并联于所述第二三极管的基极和发射极两端，钳位二极管阳极与第二三极管发射极耦接。

7.根据权利要求3所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述RCD吸收电路(4)包括依次串联连接的支路吸收电容、第一吸收电阻和第二吸收电阻，所述支路吸收电容耦接所述开关控制电路且接收所述第一控制信号，所述第二吸收电阻耦接所述MOS 管的漏极，所述第一吸收电阻和第二吸收电阻耦接的节点输出所述第二控制信号。

8.根据权利要求7所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述第一吸收电阻两端并联有第二短路二极管，所述第二短路二极管阳极耦接第一吸收电阻靠近第二吸收电阻的一端；所述第二吸收电阻两端并联有第一短路二极管，所述第一短路二极管阳极耦接第二吸收电阻靠近第一吸收电阻的一端。

9.根据权利要求1所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述第二吸收单元(2)包括串接于所述MOS管的源极和漏极之间的第二吸收电容和开关MOS管，所述开关MOS管的栅极耦接所述控制吸收电路且响应于所述第二控制信号。

10.根据权利要求1所述的一种抑制MOS管关断尖峰的电路，其特征在于：所述第二吸收单元(2)与所述控制吸收电路耦接的节点设置有一上拉电阻或抑制电容。